13.02.00 – සමතුලිතතාවේ පවතින ඉලෙක්ට්‍රෝඩ

1)ලෝහ – ලෝහ අයන ඉලෙක්ට්‍රෝඩ

ලෝහයක අයන ද්‍රාවණය තුළ එම ලෝහයම අර්ධ වශයෙන් ගිල්වීමෙන් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකි .

a) Cu ඉලෙක්ට්‍රෝඩය – Cu_(s)|Cu²⁺_(aq)

Cu²⁺  ද්‍රාවණය තුළ කොපර් තහඩුවක් අර්ධ වශයෙන් ගිල්වීමෙන් සාදාගනී.

ඔක්සිකරණ ප්‍රතික්‍රියාව:- \;{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}\;\rightarrow\;{\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}\;+2\mathrm e
ඔක්සිහරණ ප්‍රතික්‍රියාව:- {\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\;\rightarrow\;{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව:- {\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\;\rightleftharpoons\;{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}

b) සිල්වර් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය Ag_(s) |Ag⁺_(aq)

Ag+_(aq) ද්‍රාවණයක Ag_(s) අර්ධ වශයෙන් ගිල්වීමෙන් සාදාගනු ලැබේ.

ඔක්සිකරණ ප්‍රතික්‍රියාව:- {\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}\rightarrow\;{\mathrm{Ag}^+}_{(\mathrm{aq})}+\mathrm e
ඔක්සිහරණ ප්‍රතික්‍රියාව:- {\mathrm{Ag}^+}_{(\mathrm{aq})}+\mathrm e\;\rightarrow\;{\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව:- {\mathrm{Ag}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+\mathrm e\;\rightleftharpoons\;{\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}

2) වායු ඉලෙක්ට්‍රෝඩ

• වායුවට අදාල අයන ද්‍රාවණයක් තුළට වායුව බුබුලනය කිරීමෙන් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.
• මෙහිදී ඔක්සිකරණයේදී පිටවන ඉලෙක්ට්‍රෝන රඳවා තබා ගැනීමත්, ඔක්සිහරණයේදී අවශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රෝන සපයාදීමත් සඳහා ලෝහ තහඩුවක් භාවිතා කළ යුතුය.
• මේ සඳහා සම්මතය ලෙස භාවිතා කරනුයේ Pt දැලි ආලේපිත Pt තහඩුවකි 

a) හයිඩ්රජන් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය -(Pt_(s)|H_2(g) |H⁺_(aq))

H⁺ අයන ද්‍රාවණයක Pt දැලි ආලේපිත තහඩුවක් ගිල්වා ඒ මතින් H₂ වායුව බුබුලනය කිරීමෙන් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.

ඔක්සිකරණ ප්‍රතික්‍රියාව :-  {{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}\rightarrow2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e
ඔක්සිහරණ ප්‍රතික්‍රියාව :-   2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}+\;2\mathrm e\rightarrow{{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව :-  2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}+\;2\mathrm e\rightleftharpoons\;{{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}

b) ඔක්සිජන් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය (Pt_(s)|O_2(g) |OH^–_(aq))

OH^– ජලීය ද්‍රාවණය තුළ Pt දැලි ආලේපිත තහඩුවක් ගිල්වා ඒ මතින් O₂ වායුව බුබුලනය කිරීමෙන් සාදාගන්නා ලබන ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.

ඔක්සිකරණ ප්‍රතික්‍රියාව:- 4{\mathrm{OH}^-}_{(\mathrm{aq})}\rightarrow{{\mathrm O}_2}_{(\mathrm g)}+2{\mathrm H}_2{\mathrm O}_{(\mathrm l)}+\;4\mathrm e
ඔක්සිහරණ ප්‍රතික්‍රියාව:-{{\mathrm O}_2}_{(\mathrm g)}+2{\mathrm H}_2{\mathrm O}_{(\mathrm l)}\;4\mathrm e\rightarrow4{\mathrm{OH}^-}_{(\mathrm{aq})}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව:- {{\mathrm O}_2}_{(\mathrm g)}+2{\mathrm H}_2{\mathrm O}_{(\mathrm l)}+4\mathrm e\rightleftharpoons4{\mathrm{OH}^-}_{(\mathrm{aq})}         

3) රෙඩොක්ස් ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ( අයන – අයන )

ප්‍රභේදයක ඔක්සිකරණ අවස්ථාව වෙනස් වන අයන සහිත ද්‍රාවණයක් තුළ Pt තහඩුවක් ගිල්වීමෙන් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.

• මේ වර්ගයේ ඉලෙක්ට්‍රෝඩ රෙඩොක්ස් ප්‍රතික්‍රියා වලදී නිතර හමුවේ.
• රෙඩොක්ස් ඉලෙක්ට්‍රෝඩ වලදී ඔක්සිහරණය වන හා ඔක්සිකරණය වන ප්‍රභේද දෙකම එකම ද්‍රාවණය තුළ තිබිය යුතුය.
• බාහිර පරිපථය සමග විද්‍යුත් සම්බන්ධයක් ඇති කිරීමට Pt කම්බියක් භාවිතා කෙරේ.

a) ෆෙරස් / ෆෙරික් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය Pt_(s)|Fe²⁺_(aq) , Fe³⁺_(aq)

Fe²⁺/Fe³⁺ අයන අන්තර්ගත ද්‍රාවණයක pt දැලි ආලේපිත තහඩුවක් ගිල්වීම මඟින් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.

ඔක්සිකරණ ක්‍රියාව:-{\mathrm{Fe}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}\;\rightarrow\;{\mathrm{Fe}^{3+}}_{(\mathrm{aq})\;}+\mathrm e
ඔක්සිහරණ ක්‍රියාව :-{\mathrm{Fe}^{3+}}_{(\mathrm{aq})}+\mathrm e\rightarrow{\mathrm{Fe}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}
සමතුලිත ක්‍රියාව :- {\mathrm{Fe}^{3+}}_{(\mathrm{aq})}+\mathrm e\rightleftharpoons\;{\mathrm{Fe}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}

\boxed{\begin{array}{l}\text{ඉලෙක්ට්‍රෝඩ සම්මුතික අංකනයෙන් දැක්වීමේදී,}\\\text{  ∘ ඔක්සිකරණයට හා ඔක්සිහරණයට භාජනය වන සංඝටක එකම භෞතික}\\\text{     අවස්ථාවේ ඇත්නම් නිරූපණයේ දී ඒවා අතර කොමාවක් යොදයි.}\\\text{  ∘ ඔක්සිකරණයට හා ඔක්සිහරණය ට භාජනය වන සංඝටක වෙනස් භෞතික}\\\text{     අවස්ථාවල පවතීනම් ඒවා අතර ඉරක් යොදනු ලැබේ.}\\\text{  ∘ ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක Pt සම්බන්ධ වන විට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය නිරූපණයේ දී}\\\text{     Pt ද දැක්විය යුතු අතර එහිදී කොමාවක් හෝ ඉරක් යොදා නිරූපණය කළ}\\\text{     හැක .(ඉරක් යෙදීම වඩාත් සුදුසු වේ. )}\end{array}}

b) Sn²⁺_(aq) |Sn⁴⁺_(aq) ඉලෙක්ට්‍රෝඩය (Pt_(s)|Sn²⁺_(aq), Sn⁴⁺_(aq))

Sn²⁺_(aq) හා Sn⁴⁺_(aq) අයන අන්තර්ගත ද්‍රාවණයක Pt දැලි ආලේපිත තහඩුවක් ගිල්වීමෙන් සාදාගන්නා ඉලෙක්ට්‍රෝඩයයි.

ඔක්සිකරණ ප්‍රතික්‍රියාව :-  {\mathrm{Sn}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}\;\rightarrow\;{\mathrm{Sn}^{4+}}_{(\mathrm{aq})\;}+\;2\mathrm e
ඔක්සිහරණ ප්‍රතික්‍රියාව :-{\mathrm{Sn}^{4+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\rightarrow{\mathrm{Sn}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}
 සමතුලිත ක්‍රියාව :- {\mathrm{Sn}^{4+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\;\rightleftharpoons\;{\mathrm{Sn}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}

Pt තහඩුවේ කාර්යයන්

1.  ඔක්සිකරණයේදී පිටවන ඉලෙක්ට්‍රෝන රඳවා තබා ගැනීම.
2.  ඔක්සිහරණයේදී අවශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රෝන සපයාදීම.
3.  බාහිර පරිපථය සමග විද්‍යුත් සබඳතාවක් ඇති කර ගැනීම.

• මෙහිදී වායු හෝ අයන තහඩුව මත හොඳින් අධිශෝෂණය විය යුතුය.එය කාර්යක්ෂම වීමට සුමට තහඩුවක් භාවිතා කිරීමට නොහැකි අතර එය රළු වීම වඩා සුදුසුය.මේ සඳහා Pt දැලි ආලේපිත තහඩුව යෙදිය හැක.
• මෙවැනි අවස්ථාවලදී භාවිතා කරන ලෝහ තහඩුව වායු හෝ ද්‍රාවණයේ ඇති අයන සමග ප්‍රතික්‍රියා නොකළ යුතුය .එනම්,එම අවස්ථාවට නිෂ්ක්‍රීය විය යුතුය .මේ සඳහා Pb , Ni , Ti වැනි ලෝහ ,ග්‍රැෆයිට් භාවිතා කළ හැක.

4) ලෝහ -අද්‍රාව්‍ය ලවණ ඉලෙක්ට්‍රෝඩ

මෙහිදී ලෝහය, එහි ලවණය හා අයන සහිතව ඉලෙක්ට්‍රෝඩය සාදා ගැනේ.

a) කැලමල් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය (Pt_(s)|Hg_(l) | Hg₂Cl_{2 (s)}| Cl^– _(aq))

ඔක්සිකරණ ක්‍රියාව :- 2{\mathrm{Hg}}_{(\mathrm l)}+2{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}\rightarrow{\mathrm{Hg}}_2{{\mathrm{Cl}}_2}_{(\mathrm s)}+2\mathrm e
ඔක්සිහරණ ක්‍රියාව :- {\mathrm{Hg}}_2{{\mathrm{Cl}}_2}_{(\mathrm s)}+2\mathrm e\rightarrow2{\mathrm{Hg}}_{(\mathrm l)}+2{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව :- {\mathrm{Hg}}_2{{\mathrm{Cl}}_2}_{(\mathrm s)}+2\mathrm e\rightleftharpoons{\mathrm{Hg}}_{(\mathrm l)}+2{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}

• කැලමල් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය ප්‍රායෝගික සැසදුම් ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක් ලෙස භාවිතා කෙරේ.එහි විභවය + 0.2415 V වේ.
• Pt කම්බිය යොදා ඇත්තේ බාහිර පරිපථය සමග විද්‍යුත් සම්බන්ධයක් ඇති කිරීමටය. සංතෘප්ත KCl ද්‍රාවණයක් විද්‍යුත් සන්නයනය සදහා යොදා ගෙන ඇත.

b) සිල්වර් ක්ලෝරයිඩ් ඉලෙක්ට්‍රෝඩය .(Ag_(s) |AgCl_(s) |Cl^–_(aq))

ඔක්සිකරණ ක්‍රියාව :- {\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}+{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}\rightarrow{\mathrm{AgCl}}_{(\mathrm s)}+\mathrm e
ඔක්සිහරණ ක්‍රියාව :- {\mathrm{AgCl}}_{(\mathrm s)}\;+\mathrm e\rightarrow\;{\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}+{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}
සමතුලිත ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ප්‍රතික්‍රියාව :- {\mathrm{AgCl}}_{(\mathrm s)}+\mathrm e\rightleftharpoons{\mathrm{Ag}}_{(\mathrm s)}+{\mathrm{Cl}^-}_{(\mathrm{aq})}                            

• AgCl ඉලෙක්ට්‍රෝඩය ප්‍රායෝගික සැසදුම් ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක් ලෙස භාවිතා කෙරේ .එහි විභවය + 0.22 V වේ.
• මෙම ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ අත්‍යවශ්‍ය අංගයක් වන්නේ AgCl ආලේපිත සිල්වර් කම්බියකි. එය KCl යන විද්‍යුත් විච්ඡේද්‍ය සමග ස්පර්ශව පවතී.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩය බාහිර ද්‍රාවණයක් සමග සම්බන්ධ කෙරෙන අන්තය මේ ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ වැදගත්ම කොටස වේ.එය පිගන් මැටි,ක්වාට්ස් ,වයිකර්,වීදුරු කෙදි වැනි දෙයකින් නිමවා ඇත.

ලවණ සේතුව

• පරිපථය සම්පූර්ණ වීම සඳහා ද්‍රාවණය හරහා අයන සන්නයනය විය යුතුයි. එය සිදුකිරීමට ලවණ සේතුවක් භාවිතා කරයි.
• ලවණ සේතුව සඳහා KCl,KNO₃ ,NH₄NO₃,NH₄Cl වැනි දුබල විද්‍යුත් විච්ඡේදක භාවිතා කෙරේ.
• මෙහිදී අදාළ ලවණයේ සන්තෘප්ත ද්‍රාවණයක් භාවිත කෙරේ.
• ලවණ සේතුව සඳහා දුබල විද්‍යුත් විච්ඡේදකයක් භාවිතා කළ යුතු අතර දුබල අම්ලයක් හෝ දුබල භෂ්මයක් භාවිතා කළ නොහැක.
• ලවණවලින් සන්තෘප්ත ද්‍රාවණයක් නළයක බහා දෙකළවර පුළුන් ඇබ සවිකර මේ සඳහා යෙදිය හැක.
• ලවණවලින් පෙඟවූ පහන් තිරයක් සරලව යෙදිය හැක.
• කැටායන හා ඇනායන සංචරණය වන වේග සමාන වන තරමට ලවණ සේතුවේ යෙදීම වඩා සුදුසු වේ.
• මේ සඳහා KNO₃ වඩාත් සුදුසු වේ.
• කැටායන හා ඇනායන වල ආරෝපණය, අරය, මවුලික ස්කන්ධය සමාන වන තරමට සංචරණ වේගයද සමාන වේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ විභවය මැනීමට වඩාත් සුදුසු වන්නේ විභවමානයයි.මේ සඳහා අධික ප්‍රතිරෝධයක් සහිත වෝල්ට්මීටරයක් ද ගත හැක.
• ඉහත පරිදි විභවය මැන්න විට විද්‍යුත් ගාමක බලය ලෙස හැඳින්වේ.
• ඇනෝඩය හා කැතෝඩයෙහි ඉලේක්ට්‍රෝඩ විභව අතර වෙනස , එනම් ඔක්සිහරණ විභව අතර වෙනස කෝෂ විභවය වේ. එය , කෝෂය හරහා ධාරාවක් නොගලන විට කෝෂයේ විද්‍යුත් ගාමක බලය (emf) ලෙසද හදින්වේ.

i. විද්‍යුත් ගාමක බලය ඍණ වීම;

Eg:- E⁰ _{(Zn²⁺ | Zn)} = -0.76V

• සම්මත H ඉලෙක්ට්‍රෝඩය ට සාපේක්ෂව Zn ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඉලෙක්ට්‍රෝන අතිරික්තයක් පවතී.

• මේ සඳහා Zn ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඔක්සිකරණයක් සිදුවිය යුතුය.

{\mathrm{Zn}}_{(\mathrm s)\;}\rightarrow\;{\mathrm{Zn}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e

• කෝෂ අංකනයේ දී ;

Zn_(s) | Zn²⁺_{(aq,1moldm-3)}

• එවිට H ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඔක්සිහරණයක් සිදුවේ.

2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}\;+2\mathrm e\;\rightarrow{{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}

• කෝෂ අංකනයේ දී ;

H⁺_{(aq,1moldm-3)} |H_{2(g,1 atm)} |Pt_(s)

ii.විද්‍යුත් ගාමක බලය ධන වීම;

Eg:- E⁰ _{(Cu2+| Cu)} = +0.34V

• සම්මත H ඉලෙක්ට්‍රෝඩයට සාපේක්ෂව Cu ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඉලෙක්ට්‍රෝන ඌනතාවයක් පවතී.

• මේ සඳහා Cu ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඔක්සිහරණය විය යුතුය.

{\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})\;}+\;2\mathrm e\;\rightarrow{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}

• කෝෂ අංකනයේදී ;

Cu²⁺_{(aq,1moldm-3)} |Cu_(s)

• එවිට H ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත ඔක්සිකරණය සිදුවේ.

{{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}\rightarrow2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e

• කෝෂ අංකනයේදී ;

Pt_(s)|H_{2(g,1 atm)} |H⁺_{(aq,1 moldm-3)}

ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක විභවයට උෂ්ණත්වයේ බලපෑම.

a) E⁰( – ) වන ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකදි

Eg- E⁰_(Zn2+|Zn) = -0.76V

{{\mathrm H}_2}_{(\mathrm g)}\rightarrow2{\mathrm H^+}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e

සමතුලිතයෙහි පසු ක්‍රියාව සිදුවීමේදී ඉලෙක්ට්‍රෝන ඉවත් වන නිසා ශක්තිය අවශෝෂණය වේ.
එනම් පසු ක්‍රියාව තාප අවශෝෂක වේ.
එවිට ඉදිරි ක්‍රියාව තාප දායක වේ.

1) උෂ්ණත්වය වැඩි කළ විට;

• පසු ක්‍රියාව තාප අවශෝෂක නිසා එය වැඩිපුර සිදුවේ.
• එවිට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන වැඩිවෙයි.
• එම නිසා විද්‍යුත් ගාමක බලය වැඩිවේ. (වි.ගා.බ. හි ඍණ අගය වැඩි වේ. )

2) උෂ්ණත්වය අඩු කළ විට;

• ඉදිරි ක්‍රියාව තාපදායක නිසා එය වැඩිපුර සිදුවේ.
• එවිට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන අඩුවේ.
• සෘණ විද්‍යුත්ගාමක බලය අඩු වෙයි.

b) E⁰ ( + ) වන ඉලෙක්ට්‍රෝඩය කදී,

Eg- E⁰ _{(Cu2+ | Cu)} =+0.34V

{\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\rightleftharpoons{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}

1)උෂ්ණත්වය වැඩි කළ විට;

• පසු ක්‍රියාව තාප අවශෝෂක නිසා එය වැඩිපුර සිදුවේ.
• එවිට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන වැඩිවේ.
• එවිට සෘණ වි.ගා.බ වැඩි වී ධන වි.ගා.බ අඩුවේ(+0.2V).

2) උෂ්ණත්වය අඩු කළ විට;

• ඉදිරි ක්‍රියාව තාප තාපදායක නිසා එය වැඩිපුර සිදුවේ.
• එවිට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන අඩුවේ.
• එවිට සෘණ වි.ගා.බ අඩුවී ධන වි.ගා.බ වැඩිවේ.

ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක විභවයට සාන්ද්‍රණයේ බලපෑම

a) E⁰ (-) වන ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකදී,

උදා :

{\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\rightleftharpoons{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}

i) [Zn²⁺] වැඩි කළ විට,

• ඉදිරි ක්‍රියාව වැඩිපුර සිදුවේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන අඩුවේ.
• සෘණ වි.ගා.බ අඩු වේ.

ii) [Zn²⁺] අඩු කළවිට,

• පසු ක්‍රියාව වැඩිපුර සිදුවේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන වැඩිවේ.
• සෘණ වි.ගා.බ.වැඩි වේ.

b) E⁰ ( + ) වන ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකදී,

උදා :

{\mathrm{Cu}^{2+}}_{(\mathrm{aq})}+2\mathrm e\rightleftharpoons{\mathrm{Cu}}_{(\mathrm s)}

i) [ Cu²⁺ ] වැඩි කළ විට,

• ඉදිරි ක්‍රියාව වැඩිපුර සිදුවේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන අඩුවේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත වි. ගා.බ. වැඩි වේ.

ii) [ Cu²⁺ ] අඩු කළ විට,

• පසු ක්‍රියාව වැඩිපුර සිදුවේ.
• නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන වැඩිවේ.
• ඉලෙක්ට්‍රෝඩය මත වි.ගා.බ අඩු වේ.

වැඩිදුර අධ්‍යනයට ,